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光子学报 2009
Mechanism of Laser-Induced Damage in Optical Dielectric Films
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Abstract:
基于电子密度演化模型,借助数值方法,研究了飞秒激光作用下光学薄膜内的电子密度演化过程,讨论了初始电子密度Ni和激光脉冲宽度τ对光学薄膜激光损伤阈值Fth的影响,分析了激光诱导薄膜损伤过程中MPI和AI的性质和作用.研究结果表明,对应于一定的脉宽,存在一个临界初始电子密度,当Ni低于这一临界密度时,Fth不受Ni影响;当Ni高于临界密度时,Fth随Ni增加而降低.临界初始电子密度随着脉宽的减小而增加.对于FS和BBS介质薄膜,Fth随脉宽的增加而升高.初始电子密度Ni对BBS中的MPI和AI基本没有影响;同样Ni对FS中的AI基本不产生影响,但当Ni>1011 cm-3时,FS中MPI电子密度随Ni增加而降低.在所研究的脉宽范围τ∈0.01,5]ps,AI是FS介质激光诱导损伤的主要机制.而对于BBS,当脉宽τ∈0.03,5]ps,AI是激光诱导损伤的主要机制;当脉宽τ∈0.01,0.03]ps,MPI在激光诱导损伤中占主导地位.