Enhanced Emission From Eu3+;in B Ions Doped Sol-gel SiO2 Phosphors
B离子对SiO2基质凝胶中Eu3+特征光谱的加强作用

使用正硅酸乙酯、硼酸和硝酸铝为前驱体，硝酸铕为掺杂剂，以溶胶-凝胶法制备了Eu单掺和Eu、B共掺的SiO2千凝胶，并成功地在钠钙玻璃上制备了光洁度很好的掺杂SiO2多层薄膜．利用荧光光谱、红外光谱（IR）、X射线衍射（XRD）等技术研究了B离子、退火温度对样品发光性能的影响．荧光光谱显示发光体能产生很强的红色发光，经500℃以上退火处理，产生6条谱带，分别归属于Eu^3＋的^5D0→一^7FJ（J=0，1，2，3，4）的电子跃迁，^5D0→^7F1的跃迁分裂为两个峰．实验结果表明，B离子的加入，由于在材料中形成了Si-O-DB键，使Eu^3＋的配位环境的对称性降低，加强了Eu^3＋的红光发射．退火处理改变了材料的网络结构，降低了水和羟基的含量有助于提高发光强度，但退火温度太高（850℃），发生了荧光猝灭效应，源于稀土离子发生位置迁移形成的团簇．XRD测试结果显示材料是非晶态的．