MONTE CARLO SIMULATION OF THE ENERGY DISSIPATION PROFILES OF 30, 50 AND 100KeV INCIDENT BEAMS IN A LAYERED STRUCTURE IN ELECTRON BEAM LITHOGRAPHY
蒙特卡罗模拟电子束光刻中30、50和100keV电子束入射在层结构样品中的能量耗散剖面

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Abstract:

本文利用蒙特卡罗模拟给出了电子束光刻中 30、50、100 keV 电子束垂直入射到厚衬底硅上的薄膜(0.4μm)电子抗蚀剂聚甲基丙烯酸甲酯聚合物(PMMA)中的能量耗散剖面,模拟了理想点源和高斯圆束点源电子束情况下的膜中的径向散射和能耗,包括来自衬底的背散射,计算的电子数为三万到五万个。

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