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电子与信息学报 1986
A DESIGN OF DOUBLE INJECTION TYPE MAGNETO-DIODE
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Abstract:
本文探讨了在P~+IN~+型长二极管的一个侧面设置高复合区的锗磁敏二极管的设计,给出了选择长度(l)、厚度(d)、宽度(w)和电阻率(ρ)的最佳设计关系式: ρ/w(l/d)~3≤10.75·(△T)~2/l_0~3R_(th)~2,式中 △T为磁敏二极管的最大温升,R_(th)为管子的热阻,l_0为通过管子的偏流。