THE INFLUENCE OF LASER RECRYSTALLIZATION AND PLASMA HYDROGEN ANNEALING ON THE ELECTRICAL PROPERTIES OF POLYSILICON
激光再结晶和氢退火对多晶硅电学性质的影响

连续Ar~+激光再结晶能使多晶硅的电阻率下降,迁移率显著增高,对离子注入剂量为5×10~(11)—5×10~(15)cm~(-2)的多晶硅经激光再结晶后再进行等离子氢退火,能使其电学性质得到进一步改善,更接近于单晶硅.掺杂浓度为1×10~(17)cm~(-3)时,电阻率从1.2Ω·cm下降到0.45Ω·cm,迁移率从 62cm~2/V·s增高到 271cm~2/V·s,电激活能从 0.03eV下降到-0.007eV,晶界陷阱态密度从3.7×10~(11)cm~(-2)下降到 1.7×10~(11)cm~(-2)。本文在现有多晶硅导电模型的基础上.提出了大晶粒(L=15μm)多晶硅的计算公式。结果表明,在掺杂浓度在1×10~(16)—1×10~(20)cm~(-3)的范围内,理论和实验符合较好。