应用于TD-SCDMA/LTE/LTE-Advanced收发机的多频多模CMOS射频接收前端电路设计

设计了应用于TD-SCDMA/LTE/LTE-Advanced收发机中的多频段、多模式射频接收前端电路. 该前端电路采用直接变频结构，包含两个可调谐差分低噪声放大器、一个正交混频器和两个中频放大器。其中，两个独立的可调谐低噪声放大器覆盖了4个射频频段，在较低的功耗下实现足够的增益和噪声性能. 并且利用开关电容阵列来调节低噪声放大器的谐振频率点. 低噪声放大器通过混频器的驱动级跨导晶体管实现结合。正交混频器采用折叠式双平衡吉尔伯特结构，利用PMOS晶体管作为本振信号的开关对，从而降低1/f噪声. 前端电路具有3种增益模式以获得更大的动态范围. 模式配置和频段选择功能都由片上的SPI模块控制. 该射频前端电路采用TSMC0.18um RF CMOS工艺实现，芯片面积为1.3 mm2. 全部频段上测量的转换增益高于43dB，双边带噪声系数低于3.5dB. 整个电路在1.8V供电电压下，消耗电流约31mA。