Modeling of current mismatch induced by random dopant fluctuation in nano-MOSFETs
随机掺杂波动引起纳米MOSFET漏电流失配模型

当MOS集成电路进入纳米特征尺寸，随机掺杂波动对集成电路性能至关重要，因此实现适应纳米工艺的MOSFET电流失配模型以早期预测器件性能显得十分迫切。本文研究了随机掺杂波动引起的阈值电压和有效迁移率变化的表达式，并应用一个经过改进的适用于65纳米工艺ALPHA律平均电流模型，通过HSPICE仿真的数据拟合并提取相关工艺参数，应用偏离传递公式实现了随机掺杂波动引起的MOSFET漏电流失配模型。在测试条件下，该失配模型计算的标准差与HSPICE的100次蒙特-卡罗仿真结果相比显示相对误差平均值为0.24%，相对标准差为0.22%。表明该失配模型有效分析了随机掺杂波动引起的物理传导机制，简单又能保证精度。