High linearity 5.2-GHz power amplifier MMIC using CPW structure technology with a linearizer circuit
使用內置線性器並配合共平面波導設計高線性5.2GHz功率放大器電路研製

本論文主要在分析和設計一種內置線性器去改善功率放大器的線性度，功率放大器其製程技術是使用AlGaAs/InGaAs 0.15μm D-mode pHEMT (砷化鎵鋁/砷化鎵銦增強式異質接面場效應電晶體)元件，電路設計的中心頻率在5.2GHz，以兩級cascade的架構，其操作偏壓點於Class A 和Class AB之功率放大器。內置線性器功率放大器的設計使用ADS軟體分析與模擬。並使用測量儀器HP-8510C網路分析儀分別測量出反射損耗(S11)為-15dB，功率增益(S21) 為15 dB、輸出功率為13.3 dBm、功率附加效率(PAE) 21%和IIP3 為 1.4 dBm、 OIP3約22.5 dBm，綜合5.2 GHz 內置線性器功率放大器可增加高頻增益、輸出功率、功率附加效率和線性度等特性，非常適用於微波微波積體電路功率放大器通訊應用價值。