The Theory of Field-Effect Transistors XII.The Bipolar Drift and Diffusion Currents(1-2-MOS-Gates on Thin-Thick Pure-Impure Base)
场引晶体管理论:XII.双极飘移扩散电流（薄及厚、纯及不纯基体,单及双MOS栅极）

上篇论文（XI）报告双极场引晶体管的电化电流理论，这篇论文（XII）报告飘移扩散理论. 两篇都讨论了单栅双栅，纯基不纯基，薄基厚基的情形. 两篇都用表面及内部电势作为参变量耦合电压方程和电流方程. 在这飘移扩散理论中，有许多电流项，属飘移电流的用迁移率因子标识，属扩散电流的用扩散率因子标识. 给出完备飘移扩散解析方程，用以计算四种常用MOS晶体管的直流电流电压特性. 飘移电流有四项：一维体电荷漂移项，一维载子空间电荷漂移项，一维横向电场漂移项，二维漂移项. 扩散电流有三项：一维体电荷扩散项，一维载子空间电荷扩散项，二维扩散项. 现有的晶体管理论都没认识到一维横向电场漂移项. 当基区几乎是纯基，这项贡献显著，约总电流的25%. 二维项来自纵向电场的纵向梯度，它随德拜长度对沟道长度比率的平方按比例变化.当沟道长度为25nm,几乎纯基时， (LD/L)2=1E6，杂质浓度1E18cm-3时， (LD/L)2=1E-2.