20－44GHz 宽带倍频器单片集成电路的设计研究

摘要：本文采用0.15μm GaAs pHEMT工艺设计了输出信号带宽为20~44GHz的宽带倍频器。倍频器由三部分组成：将单端信号转换成差分信号的有源巴仑, 产生倍频信号的推－推结构的平衡倍频器和分布式放大器。输出信号功率在整个频段为12～17dBm。基波抑制比的典型值为－20dBc左右，该倍频器的偏置电压为±3.5V，直流电流为200mA。芯片的面积为1.5mm ×1.8mm。