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ISSN: 2333-9721
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p—Hg_(0.97)Mn_(0.03)Te的磁阻振荡及霍耳系数振荡

Keywords: 化合物半导体,HgMnTe,磁阻振荡

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Abstract:

p型零禁带Hg_(0.97)Mn_(0.03)Te在深低温(T<4.2K)弱磁场(B<0.6T)区出现磁阻振荡及霍耳系数振荡。用补充了交换互作用项的P-B模型拟合计算了各峰值位置,表明此组份Hg_(1-x)-Mn_xTe的重空穴价带b_v(-1)已交叠到导带a_c(1)之上。霍耳系数出现清晰的振荡行为,拟合计算表明这是由于费米能级为受主能级所钉扎引起的载流子浓度的振荡。

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