A novel high voltage LIGBT with an n-region in p-substrate
一种具有衬底n型电荷区的高压LIGBT

本文基于4μm漂移区厚度提出一种具有衬底浮空n型电荷区的新型LIGBT（NR-LIGBT）。由于n型电荷区的电场调制作用，器件的纵向击穿特性得到加强，击穿电压得到明显的提高。由于高的单位微米平均电场，因此新器件具有面积成本低、电流能力强和关断时间短的特点。模拟结果表明：在相同的100μm漂移区长度下，新结构的击穿电压比常规结构（C-LIGBT）提高了58％。并且，在相同的阻断能力下，新结构的关断时间短于常规器件。