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半导体学报 2010
Optical bistability in a two-section InAs quantum-dot laser
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Abstract:
本文介绍了一种新型的双区结构的InAs量子点激光器,实现了波长1.24μm室温连续激射,同时在对可饱和吸收区施加反向偏压或开路的条件下观察到了明显的光学双稳现象,其回滞宽度优于已知所报道的结果。此外,还发现减小反向偏压或增大吸收区长度能有效增加回滞宽度。应用一个改进的阈值电流模型,揭示了可饱和吸收区内量子点吸收和电吸收两种机制对光学双稳的影响,并对所观察到的实验结果进行了解释。