一种利用栅极电感峰化和噪声抵消技术的CMOS宽带低噪声放大器的设计

本文给出了一种应用于多模多标准接收机的宽带低噪声放大器的设计。采用噪声抵消技术实现了低噪声特性，同时采用栅极电感峰化技术实现了宽带平稳增益，进而提高了高频处得噪声性能。芯片在0.18 μm CMOS 工艺下制造，测试结果表明，该低噪放的-3dB带宽为2.5 GHz,增益为16 dB。在300 MHz 到2.2 GHz 带宽内的增益变化在0.8 dB之内。噪声系数为3.4 dB，不同频点处测得的平均IIP3 为-2 dBm。该低噪放的核心芯片面积为0.39mm2, 在1.8V供电电压下，抽取直流电流11.7 mA。