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半导体学报 2008
A Novel Optical Gate by Integration of a Photodiodeand an Electroabsorption Modulator
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Abstract:
通过在InP基上单片集成光探测器和调制器,制作了三端光逻辑门.在不同的负载电阻下,器件显示了良好的"与"门功能.对芯片进行了622MHz的动态测试;在950Ω负载条件下,只需要约7mw的控制光功率即可获得大于7dB的动态消光比.