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半导体学报 2004
A Microwave High Power Static Induction Transistor with Double Dielectrics Gate Structure
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Abstract:
提出了用同步外延法设计和制造具有双介质层栅结构和非饱和电流电压特性的高频高功率静电感应晶体管的关键技术.讨论了寄生栅源电容Cgs对静电感应晶体管高频功率特性的影响.描述了工艺上减小寄生电容、改善静电感应晶体管高频功率性能的主要方法和措施.成功地制造出频率在4 0 0 MHz时输出功率大于2 0 W、功率增益大于7d B、漏效率大于70 %和70 0 MHz时输出功率大于7W、功率增益大于5 d B,漏效率大于5 0 %的高性能静电感应晶体管
