半绝缘GaAs单晶化学配比的X射线双晶衍射Bond方法测量

本文利用Ｘ射线双晶衍射Ｂｏｎｄ方法，精确测量了各种条件下生长的半绝缘ＧａＡｓ的晶格参数．建立了过量Ａｓ在晶体中存在的间隙原子对模型，在理论上找到了影响半绝缘ＧａＡｓ晶格参数的根本原因．并建立了半绝缘ＧａＡｓ晶格参数与化学配比的关系，实现了化学配比的无损测量．这对于ＧａＡｓ单晶的制备和相关光电子器件的研究具有重要意义．