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半导体学报 2002
A Novel Non-Planar Cell Structure for Flash Memory
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Abstract:
提出了一种为在低压下工作的具有较快编程速度的新的非平面的 flash memory单元结构 ,该结构采用简单的叠栅结构并只需增加一步光刻制做出这一新的沟道结构 .对于栅长为 1.2μm flash单元 ,获得了在 Vg=15V ,Vd=5V条件下编程时间为 42 μs,在 Vg=-5V,Vs=8V条件下的擦除时间为 2 4ms的高性能 flash单元 ,这一新结构的编程速度比普通平面型快闪存储器要快很多 .这种新结构 flash单元在高速应用场合下具有很好的应用前景
