双极型器件慢界面陷阱能量分布的1／f噪声分析方法

位于Ｓｉ／ＳｉＯ２界面附近的具有长时间常数的载流子陷阱对于半导体器件的可靠性有重要影响．根据笔者建立的双极晶体管表面１／ｆ噪声分析模型，通过测量栅控晶体管１／ｆ噪声的栅压特性，可获得这种慢界面陷阱密度在禁带中心附近的能量分布．本文给出了该方法的模型推导、参数提取、分析步骤和应用实例．