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用化学共沉淀法,经热处理制得n型半导体α-(SbxFe1-x)2O3.XRD分析确证0≤x≤0.2是固溶体.实验发现在x≤0.03区间内材料电阻降低幅度很大,而在x=0.03~0.2区间的电阻却缓慢上升,根据体系中存在缺陷平衡,讨论其原因和导电机制;相应於此缺陷平衡的Sb3+和Sb5+的含量由XPS分析予以证实.
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