Ag与p-InP的肖特基势垒特性

本文对Ag与p-InP所形成的肖特基势垒进行了研究.通过在不同的表面热清洁温度下,对p-InP表面进行的AES分析,得到其表面清洁的最佳条件为480℃,20分钟.在超高真空系统内(真空度为2.66 × 10~(-7)Pa),根据热清洁条件对半导体表面进行热清洁后,可获得接近理想状态的清洁表面.在该清洁表面上制备出p-InP的肖特基势垒高度和理想因子分别为0.73 eV和1.09.另外本文还对肖特基结经不同温度及时间热处理后结特性的退化进行了研究.