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OALib Journal期刊
ISSN: 2333-9721
费用：99美元
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Very High Speed Poly-Si Emitter Bipolar Transistor and Circuit
超高速双层多晶硅发射极晶体管及电路
ZHANG Li chun, GAO Yu zhi, JIN Hai yan, NI Xue wen, MO Bang xian, NING Bao jun, LUO Kui, YE Hong fei, ZHAO Bao ying, ZHANG Guang qin,
张利春, 高玉芝, 金海岩, 倪学文, 莫邦燹, 宁宝俊, 罗葵, 叶红飞, 赵宝瑛, 张广勤
Keywords: double,layer polysilicon,multiple,dielectric,layer L,shaped sidewall
双层多晶硅,复合介质L型侧墙
Abstract:
报道了双层多晶硅发射极超高速晶体管及电路的工艺研究 .这种结构是在单层多晶硅发射极晶体管工艺基础上进行了多项改进 ,主要集中在第一层多晶硅的垂直刻蚀和基区、发射区之间的氧化硅、氮化硅复合介质的 L型侧墙形成技术方面 ,它有效地减小了器件的基区面积 .测试结果表明 ,晶体管有良好的交直流特性 .在发射区面积为 3μm× 8μm时 ,晶体管的截止频率为 6 .1GHz.19级环振平均门延迟小于 40 ps,硅微波静态二分频器的工作频率为 3.2 GHz Full-Text
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