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半导体学报 2001
1.55μm In_(1 - x - y) Ga_y Al_x As压缩应变量子阱激光器的近似阱宽和光增益公式(英文)Keywords: In1-x-yGayAlxAs,量子阱激光器,线性增益,微分增益 Abstract: 应用 Harrison模型和各向异性抛物带近似理论计算了 In1- x- y Gay Alx As压缩应变量子阱的能带结构 .为设计 1.55μm发射波长的激光器 ,对可能组分范围内材料的阱宽、微分增益、透明载流子浓度做了系统分析 ,得到一些有用的拟合公式
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