A novel compensation method for polygonized mesa structures on (100) silicon substrate
硅(100)衬底上生成多边形台面结构的新方法

本文基于(100)硅衬底，提出了一种生成理想任意多边形台面结构的理论分析和补偿方法，该方法包含四个分析过程：首先，明确所选择的腐蚀条件下需要的各向异性腐蚀信息；其次，分析预测目标多边形在没有任何补偿结构情况下的腐蚀形变结果；再者，根据形变结果搭建目标结构的补偿拓扑边界；最后，结合各向异性腐蚀的基本原理，得到实际补偿结构。方法的四个主要过程都给出了详尽的具体分析步骤，并总结提出了从多边形台面结构的拓扑框架生成具体补偿图形的约束规则。文中以三种多边形结构为代表，展示了该方法的分析和补偿过程。采用的各向异性三维仿真软件，对分析结果和补偿结构分别进行模拟验证，充分证实了该方法的正确可行。