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半导体学报 2004
Design and Fabrication of Thermo-Optic 4×4 Switching Matrix in Silicon-on-Insulator
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Abstract:
设计和制作了由5个2×2多模干涉马赫-曾德开关元组成的重排无阻塞型SOI4×4热光开关阵列.阵列的最小和最大附加损耗分别为6.6和10.4dB,阵列的串扰为-12~-19.8dB,光开关阵列的开关速度小于30μs,单个开关元的功耗大约为330mW.