Optical Investigation of Delta-doping in Quantum Well Structures
量子阱中δ掺杂的光谱特性

Keywords: 量子阱,掺杂,光谱特性,半导体材料

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Abstract:

用δ掺杂的方法实现了Be受主在量子阱边界和阱中央的分布,并用光致发光实验证实了这种掺杂的实际效果。第一次用人为的实验方法证实了量子阱中杂质态密度分布的有关理论计算结果。

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