GaAs/Ga_(0.7)Al_(0.3)As短周期超晶格中的自电光双稳和多稳态效应

我们研究了GaAs/Ga_(0.7)Al_(0.3)As(35A/35A)超晶格p-i-n二极管在超晶格光吸收边附近的室温光电流随电压的变化。Wannier局域化导致的-1h和-2h激子跃迁产生两个光电流负微分电阻区。在由超晶格p-i-n二极管组成的SEED器件中实现了光电流(吸收)的双稳和三稳态跳变,特别是在无外偏压下也观测到了明显的光电流双稳跳变。