Influence of Preamorphization on Shallow Junction Formed by Low Energy Boron Ion Implantation into Silicon
衬底预非晶化对低能硼注入硅形成浅结的影响

Keywords: Low energy ion implantation,shallow junction,preamorphized silicon
预非晶化,离子注入,浅结,硼,硅

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Abstract:

本文研究了不同剂量,不同能量硅自注入预非晶化对低能硼注入硅形成浅结的影响。对于10keV硼注入情形,只要含硼表面层是充分预非晶化的,都可得到结深为0.15μm左右的浅结。

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