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半导体学报 2001
Characteristics of Refractory Metal Gate MOS Capacitor with Improved Sputtering Process for Gate Electrode
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Abstract:
论述了通过优化难熔金属栅电极的溅射工艺及采用适当的退火温度修复损伤来提高 3nm栅氧 W/ Ti N叠层栅 MOS电容的性能 .实验选取了合适的 Ti N厚度来减小应力 ,以较小的 Ti N溅射率避免溅射过程对栅介质的损伤 ,并采用了较高的 N2 / Ar比率在 Ti N溅射过程中进一步氮化了栅介质 .实验得到了高质量的 C- V曲线 ,并成功地把 Nss(表面态密度 )降低到了 8× 10 1 0 / cm2以下 ,达到了与多晶硅栅 MOS电容相当的水平
