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半导体学报 2005
A 0. 2μm GaAs PHEMT Distributed Amplifier for 40Gb/s Optical Receiver
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Abstract:
利用0.2μm GaAs PHEMT工艺实现了40Gb/s光接收机中的前置放大器. 该放大器采用有源偏置的七级分布放大器结构,3dB带宽超过40GHz,输入输出反射损耗小于-10dB,跨阻增益为45.6dBΩ,最小等效输入噪声电流密度为22pA/Hz,功耗为300mW,可有效地应用于40Gb/s光接收机中.