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半导体学报 2004
Design of Ultra-Low Power Bandgap Voltage Reference and Its PSR Analysis
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Abstract:
对一种超低功耗能隙源的电源噪声抑制进行了分析.给出了简单而又有效的频域分析模型,并将其电源噪声抑制实测结果与频域分析模型理论结果及其SPICE仿真结果进行比较.在Charted0.35μmCMOS工艺流片实现了这一结构的能隙源,实测最低工作电压为1.3V,工作电流为7.8μA,基准电压为500mV,温度系数为40ppm/℃,芯片面积为0.06mm2.最后提出了本结构能隙源提高电源噪声抑制的方法.
