低能Si~+离子注入GaAs材料的沟道效应和射程分布

本文采用蒙特卡洛方法模拟低能Si~+离子注入GaAs单晶的力学运动,以此考察了低指数轴沟道,高指数轴沟道和平面沟道的沟道效应对射程分布的影响。模拟计算和实验结果都表明,当入射角为传统的7°时确实存在着沟道效应。使射程分布偏离高斯分布,即所谓的分布拖尾。当入射角大于三倍的沟道临界角同时避开沟道效应较强的高指数轴沟道和平面沟道,射程分布相当接近于入射无定形GaAs的射程分布,本文的研究结果为采用低能Si~+离子(E≤30keV)注入GaAs制备浅结的工艺提供了理论依据。