|
|
半导体学报 2005
A New Fast Simulation and Calculation Model Based On SRAM
|
Abstract:
根据静态随机存储器（SRAM）电路及版图的设计特点，提出了一种新的可用于SRAM设计的快速仿真计算模型．该模型仿真快速准确，能克服Spice仿真软件对大容量SRAM版图后仿真速度较慢的缺点，在很大程度上缩短了设计周期．同时，它的仿真结果同Synopsys公司的Nanosim软件仿真结果相比偏差小于5％．该模型在龙芯Ⅱ号CPU的SRAM设计中得到了应用；芯片采用的是中芯国际0.18μm CMOS工艺．流片验证了该模型对于大容量的SRAM设计是准确而有效的．
