掺施主杂质半导体中LO声子的反对称光电导响应的Monte Carlo模拟

本文基于一个伴随ＬＯ声子发射的光激发电子被重新俘获的物理模型，采用ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ方法，对掺施主杂质的半导体光电导谱中与ＬＯ声子相对应的反对称谱峰结构进行了理论模拟，并与Ｓｉ掺杂的ＧａＡｓ及ＩｎＰ的实验结果作了比较．