变截面场效应管

本文提出了一种具有渐变沟道“截面”(电导率)的新型场效应管.在通常的场效应管中,高频电流通过沟道时将因沟道电阻及其侧面电容的 R C效应而衰减,但是在一只 GaAs变截面场效应管中,当控制沟道场强使得其中的电子微分迁移率取负值时,高频电流振幅将沿着沟道递增,从而得出一种三端负阻放大器,其极限频率是很高的.