第五届国际气相生长和外延会议和美国第五届晶体生长会议简讯

<正> 今年7月 19日-24日在美国召开了第五届国际气相生长和外延会议美国第五届晶体生长会议.会议交流了体单晶和薄膜生长的实验和理论研究,其中着重交流了各国在半导体材料,如硅、Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族化合物的晶体生长理论,工艺和特性等方面的研究情况. 参加会议的代表来自十六个国家,共400多人,我国有四人参加.会议上宣读的论文