溅射GaAs SOI电子束退火再结晶及MBE GaAs SOI高频感应石墨棒热退火再结晶

本文首次报道了溅射GaAs SOI电子束退火再结晶以及MBE GaAs SOI高频感应石墨棒热退火再结晶.对实验所得SOI样品,用ED和TEM分析GaAs 薄膜的结晶性,用X-射线衍射测量薄膜表面的择优取向,用霍耳效应测量定出载流子浓度和迁移率.