连续模型多弦热平均势计算沟道产额角分布

本文用连续近似和半路平面模型两种近似,在考虑多根原子弦的条件下(多弦近似),计算了沟道产额角分布.在计算横向能量E_1与可进入区面积A(E_⊥)的关系曲线时,本文用随机投点的方法替代 K.Sato等人的划格子的方法,以提高计算的适应性.对于1MeV He离子入射Si<110>沟道,本文用半路平面模型和多弦热平均势算得ψ_(1/2)为0.81°,这个结果比S.T.Picraux等人用单弦静态势算得的值0.89°更为接近实验值(0.75°).本文对ψ_(1/2)和x_(min)的理论值与实验值的差别以及改进理论计算的可能方法作了讨论.