短栅GaAs MESFET中电子饱和速度

本文根据0.3—1.1μm栅长GaAs MESFET直流特性的测试结果,计算了不同栅长器件中电子饱和速度.实验表明,短栅GaAs MESFET中电子饱和速度随负栅压增加而上升至速度过冲.结合器件结构,对实验结果作了讨论.