第三届全国半导体物理会议

<正> 第三届全国半导体物理会议于1981年12月15日至19日在江苏省无锡市召开.出席这次会议的有领导部门、高等院校、研究所、工厂等66个单位的133名代表.大会共收到论文摘要180余篇,报告内容涉及电子态、表面、界面、输运现象、深能级杂质和缺陷、非晶态、半导体光学性质、器件物理、离子注入、激光退火和辐射效应等. 代表们认为,这次会议和第二届会议比较,有以下几个特点.表现在,半导体物理的研究面比以前