a-Si:H中的原生对复合

本文报道了有关在a-Si:H中能产生明显原生对复合效应的生长条件.在具有这一效应的材料上所测得的光量子效率随外场强变化的关系曲线与由Onsager理论计算曲线是吻合的,仅在高场区有所偏离.由热化距离r_o和热化弛豫时间τ,按关系式r_o=(Dτ)~(1/2)所估算的电子迁移率值与由“渡越时间”法的测量值是很接近的.文章最后对实验结果作了分析和讨论.