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半导体学报 1980
四毫米雪崩管振荡器Abstract: 本文给出了4mm硅P~+NN~+型雪崩二极管的参数设计,简述了二极管的制作工艺过程、微波振荡器结构和设计考虑.从等效电路在理论上预计了反射式外腔稳定的IMPATT振荡器的几个重要电学参数.实验研究了振荡器及其噪声特性. 实验表明,外腔稳定的IMPATT振荡器工作频率范围为70—80GHz,输出功率大于20mW(最大为160mW),效率为1—2%(最大为3.8%).振荡器噪声特性优于同频段速调管70V10.偏离载波30MHz时,100Hz带宽内,FM 噪声的均方根频偏△frms=2Hz,而速调管为△frms=9HZ.振荡器稳定度为 3.6 ×10~(-7)/分,1.8 ×10 ~(-5)/小时,5 × 10~(-4)/200 小时,也优于速调管.
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