用简并双模腔测量微波霍耳迁移率

本文描述用微波技术无接触测量半导体霍耳系数的方法.利用简并双模圆柱腔(TE_(112)模),把样品置于电场极大处并加一直流磁场,可以很容易观察法拉第旋转效应并加以测量.利用腔的等效电路和微扰理论进行了理论分析,确立了腔的散射参量与样品的导电张量之间关系.随之霍耳迁移率以腔的传输系数、负载和未负载反射系数来表示.无样品时两模的谐振频率及未负载Q的差别也加以了考虑.实验结果表明与直流参数的一致性,因而说明了理论的有用性。