Phonon Mode and Electron-phonon Coupling Strengths Controlling the Fluorescence Efficiency of Dy3+-doped Selenide Glasses
声子模式与电子-声子结合强度对Dy3+掺杂硒化物玻璃荧光效率的影响

用熔融-淬冷法制备了无稀土掺杂与Dy 3+ (0.04mol%)掺杂Ge30Ga5Se65和0.9Ge30Ga5Se65+0.1CsBr玻璃样品. 采用Judd-Ofelt理论计算了0.9Ge30Ga5Se65+0.1CsBr玻璃样品中Dy3+ 跃迁的强度系数、自发辐射几率与荧光分支比. 为了研究多声子弛豫(MPR)随温度的变化, 测试了Dy3+ 的6H11/2 能级在20～300K温度范围内的荧光寿命, 分析了Ge30Ga5Se65玻璃中声子模式与电子-声子结合强度对Dy3+ 1.72μm处荧光强度和效率的影响. 在硒化物玻璃中引入CsBr使玻璃中形成了Ga--Br键, 有效声子能量降低到268cm-1. 通过计算得到Ge30Ga5Se65与0.9Ge30Ga5Se65+0.1CsBr 样品的电子-声子结合强度分别为0.456与0.048. CsBr的引入降低了电子-声子结合强度. 声子模式与电子-声子结合强度的改变决定了MPR 的变化.