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无机材料学报 2007
SiC Nanowires Synthesized by Microwave Heating
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Abstract:
采用单质Si粉和酚醛树脂为原料、均混、成型、碳化，并以10℃／min的升温速率在1300-1400℃／0．5-2h的微波加热条件下制备了SiC纳米线．用SEM和TEM观察所得SiC纳米线形貌，EDX检测样品成分．结果发现：所制备的SiC纳米线具有典型的SiC／SiO2芯一壳式缆状结构特征，直径约为20-100nm．分析认为，在微波加热条件下，液态Si在SiC纳米线生长过程中起着至关重要的作用，既具有催化作用，同时又是制备SiC纳米线的关键原料．
