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Keywords: RF-reactive sputtering,carbon nitride thin films,growth,structure高频溅射,氮化碳薄膜,结构,薄膜生长
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本文用扫描电镜、经外吸收光谱、X射线光电子能谱和X射线衍射技术对高频溅射沉积法制备的氮化碳膜的生长过程进行了研究。改变溅射条件,研究了氮化碳膜的形貌和结构与其性质之间的关系。通过溅射条件的优化,可使氮化碳膜中的氮含量增加,薄膜的结构接近β-C3N4相。
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