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无机材料学报 2007
Influence of V2O5 on the Properties of BaTiO3-Y2O3-MgO Ceramics
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Abstract:
研究了V2O5掺杂BaTiO3-Y2O3-MgO系陶瓷的显微结构和介电性能.SEM显示V2O5会促进该体系晶粒生长,降低陶瓷致密度.XRD显示V掺杂样品均为单一赝立方相,其固溶度〉1.0m01%.研究表明,V离子能有效抑制掺杂离子Y、Mg向BaTiO3晶粒内扩散,改变掺杂离子在晶粒中分布,从而形成薄壳层的壳芯晶粒,因此V能提高居里峰的强度并改善电容温度稳定性.多价V离子在还原气氛中以+3、+4为主,能增强瓷料的抗还原性,提高绝缘电阻率(10^13Ω·cm)、降低介电损耗(0.63%).该体系掺杂0.1mol%V时,介电常数达到2600,满足X8R标准.