Effects of In Dopant Concentration on the Electrical Properties of CdZnTe Crystal
CdZnTe晶体生长中掺 In量对晶体电学性能的影响
YUAN Zheng,
SANG Wen-Bin,
QIAN Yong-Biao,
LIU Hong-Tao,
MIN Jia-Hua,
TENG Jian-Yong,
袁铮,
桑文斌,
钱永彪,
刘洪涛,
闵嘉华,
滕建勇
Keywords: nuclear detector,CdZnTe,In doping,electrical properties
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Abstract:
通过在富Te环境下生长In掺杂CdZnTe晶体,实验研究了不同掺In量对晶体电学性能的影响,重点讨论了不同掺In量与晶体电阻率、载流子浓度及迁移率之间的关系.并对CdZnTe晶体中In掺杂的补偿机理进行了分析探讨.结果表明,当In掺杂量为5×1017cm-3时,得到了电阻率达1.89×1010Ω·cm的高阻CdZnTe晶体.
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