|
无机材料学报 2007
Crystallization Behaviour of the Si-Al-Zr-O Amorphous Bulk
|
Abstract:
借助DSC、XRD、SEM和TEM等技术探讨了Si—Al-Zr—O(SAZ)系非晶的原位受控晶化过程.结果表明,SAZ系非晶在900℃左右存在分相,形成富Si区和富Zr、Al区.在920-950℃间,开始成核析出初晶相四方氧化锆,并从富Al区形成Al-Si尖晶石相.当温度升高至1000℃时,莫来石晶相开始生成.温度进一步升高,Al—Si尖晶石相消失,四方氧化锆、莫来石成为主晶相,同时生成了方石英.其中,莫来石是通过过渡相Al-Si尖晶石与非晶二氧化硅反应得到.