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物理学报 2012
Study of Rashba spin splitting and intersubband spin-orbit coupling effect in AlGaN/GaN quantum wells
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Abstract:
首先把本征值方程投影到导带的子空间中, 进而得到AlGaN/GaN量子阱中第一、二子带的Rashba自旋劈裂系数(α 1, α 2)和子带间自旋-轨道耦合系数η12. 然后自恰求解薛定谔方程和泊松方程计算了不同栅压的量子阱中的α 1, α 2和η12, 并分别讨论了量子阱阱层、左右异质结界面和垒层对它们的贡献. 结果表明可以通过栅压来调节自旋-轨道耦合系数, 子带间自旋轨道耦合系数η12比Rashba自旋劈裂系数α 1, α 2小, 但基本在同一数量级.